第1038章 轨道拓扑技术！
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  会议室里。
  眾人抬头望向李阳，等待著他的答覆。
  有了之前给他们讲授的经验，李阳很清楚他们是多么的渴望得到答案。
  所以他没有拐弯抹角，清了清喉咙，说道。
  “当等离子体边缘出现边缘局域模前兆时，启动lhcd系统，在200微秒內，將边缘电流密度从2x101?a/m2提升至5x101?a/m2，形成『电流屏障』。”
  “通过极紫外成像仪可见，elm爆发被压制，等离子体边界呈现光滑的准稳態光辉，能量约束时间从0.8秒延长至1.5秒！”
  停顿片刻，李阳接著道。
  “至於eccd的高能电子损失问题，可以通过轨道拓扑优化，將快电子损失率从15%降至2%。”
  “轨道拓扑优化？”
  曹启东眉头一皱，脸色有几分不解.
  “李工，何为轨道拓扑优化？”
  冯建辉等人也都相继点头，同样不知道这轨道拓扑优化，是什么意思。
  李阳解释道。
  “大家都知道，在射频电流驱动中，高能快电子的轨道控制是决定效率的核心。”
  “传统磁场位形下，约15%的快电子会因轨道与器壁相交导致能量损失，甚至引发靶板过热。”